X射线CT检测碳化硅：实现SiC内部缺陷的三维解析

碳化硅（SiC）晶圆及功率器件制造过程中，裂纹、杂质与孔洞等缺陷往往隐藏于材料内部。 借助X射线检测中的CT技术，可在不破坏样品的前提下实现微米级三维成像分析。

为什么碳化硅检测越来越依赖 X 射线 CT？

传统二维透视难以准确判断缺陷的空间位置与真实尺寸，而X射线CT通过多角度采集与算法重建， 可对碳化硅材料进行“逐层切片”式分析，为可靠性评估提供量化依据。

典型碳化硅可检测缺陷类型

X射线CT广泛应用于SiC晶圆、功率模块与封装结构的内部检测， 可识别微裂纹走向、杂质夹杂分布、烧结孔洞以及结构不连续区域。

立体分析 缺陷呈现

基于商业信息协议及对知识产权的尊重，此处展示的X射线检测影像仅作技术能力展示之用。骅飞诚挚邀请您携带/邮寄样品，体验设备的实际检测效果。

视频演示：碳化硅 X 射线 CT 实际检测

从检测结果到工程决策支持

通过三维定量分析，检测结果可辅助判断缺陷对电性能与结构可靠性的潜在影响， 为研发优化、来料评估及失效分析提供科学依据。